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              碳化硅陶瓷的三種制備方法

              點擊次數:   更新時間:2021-01-12 16:42:01   分    享:
                大家知道碳化硅陶瓷有哪三種制備方法嗎?下面就來為大家來具體介紹一下。
                一是反應碳化硅陶瓷,反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應生成。
                二是熱壓碳化硅陶瓷,雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化硅中的雜質形成液相,通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
                三是常壓碳化硅陶瓷,常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅,在燒結到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
                希望以上的內容對大家是有幫助的,如果還想知道更多的關于碳化硅陶瓷的知識請繼續關注我們的網站哦!
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